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美国半导体工业用纯水指标
  化学指标单位:μg/L

Ⅰ级

Ⅱ级

Ⅲ级

Ⅳ级

残渣,mg/L

0.1

0.3

0.3

0.5

TOCmg/L

0.02

0.05

0.10

0.40

颗粒,粒/L

500

1000

2500

5000

细菌数,个100mL

0

6

10

50

活性硅SiO2μg/L

3

5

10

40

电阻率MΩ·cm

18.3

17.9

17.5

17.0

阳离子,μg/L

0.2

2.0

5.0

*

Al3+

0.2

2.0

5.0

*

NH4+

0.3

0.3

0.5

*

Cr6+

0.02

0.1

0.5

*

Fe 3+

0.02

0.1

0.2

*

Cu 2+

0.02

0.1

0.5

*

Mn 2+

0.05

0.5

1.0

*

K +

0.1

0.3

1.0

4.0

Na +

0.05

0.2

1.0

5.0

Zn 2+

0.03

0.1

0.5

*

阴离子,μg/L

0.1

0.1

0.3

*

Br -

0.1

0.1

0.3

*

Cl -

0.05

0.2

0.8

*

亚硝酸根 NO2-

0.05

0.1

0.3

*

硝酸根 NO3-

0.1

0.1

0.5

*

磷酸根 PO43-

0.2

0.2

0.3

*

硫酸根 SO42-

0.05

0.3

1.0

*

*此值未定。

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